先端トランジスタ(FinFET・GAA)

EOT(等価酸化膜厚)の説明として正しいものはどれか。

  1. AHigh-k膜などのゲート絶縁膜を、同じゲート容量を与えるSiO2膜の厚さに換算した値
  2. Bゲート絶縁膜の実際の物理的な膜厚
  3. C配線層の厚さ
答えと解説を見る

正解：A. High-k膜などのゲート絶縁膜を、同じゲート容量を与えるSiO2膜の厚さに換算した値

EOTは、ゲート絶縁膜のゲート容量を、SiO2で実現した場合の膜厚に換算した値です。誘電率がSiO2の約5倍のHigh-k膜なら、物理膜厚がEOTの約5倍でも同じ容量が得られます。物理膜厚を厚くできるため、トンネル電流を抑えられます。

この分野を解く 分野ページへ

先端トランジスタ(FinFET・GAA)のほかの問題

  1. SOI(Silicon On Insulator)構造の説明として正しいものはどれか。
  2. DIBL(Drain Induced Barrier Lowering)の説明として正しいものはどれか。
  3. FinFETでトランジスタの実効的なチャネル幅を調整する方法として正しいものはどれか。
  4. GAAの次の世代の構造として研究されているCFET(Complementary FET)の特徴として正しいものはどれか。
  5. High-k/メタルゲートのトランジスタで、しきい値電圧を調整する主な手段の一つはどれか。