什麼是接面電容(空乏層電容)

PN 接面的空乏層如同平行板電容器般作用而產生的電容。逆向偏壓增大時空乏層變寬，電容變小。變容二極體即利用此性質。

日文名稱: 接合容量(空乏層容量)

「接面電容(空乏層電容)」出現在2領域的2道練習題中（雙載子電晶體, 先進電晶體（FinFET與GAA）等）。

這個名詞所屬的領域: PN接面與二極體

練習接面電容(空乏層電容)的題目

關於雙極性電晶體的截止頻率fT（transition frequency），下列意義何者正確？

  1. A電源的頻率
  2. B共射極電流增益降到1的頻率
  3. C電路振盪的頻率
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正確答案：B. 共射極電流增益降到1的頻率

電流增益隨頻率升高而下降，主因是通過基極的時間以及接面電容的充放電。共射極電流增益為1的頻率就是截止頻率fT，大約為 fT ≈ gm/(2π(Cπ + Cμ))。這是高頻性能的指標，通用小訊號電晶體約為數百MHz，SiGe HBT則有超過300 GHz者。也會一併使用功率增益為1的最大振盪頻率fmax。

下列關於 SOI（絕緣層上覆矽，Silicon On Insulator）結構的說明，何者正確？

  1. A不使用閘極絕緣膜的電晶體結構
  2. B在埋入氧化層之上的薄矽層中製作電晶體的結構
  3. C將兩片晶片疊在一起的結構
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正確答案：B. 在埋入氧化層之上的薄矽層中製作電晶體的結構

SOI 是在埋入矽基板中的氧化膜（BOX 層）之上的薄矽層中製作電晶體的結構。由於元件與基板絕緣，接面電容與漏電流較小，也不會發生閂鎖效應（latch-up）。晶圓是以智慧切割（Smart Cut）法等方式製成，亦即貼合帶有氧化膜的晶圓後，將其中一片削薄。廣泛用於高頻開關（RF-SOI）與低功耗用的 FD-SOI。

解析中的「接面電容(空乏層電容)」

出現「接面電容(空乏層電容)」的題目（2題）

  1. 關於雙極性電晶體的截止頻率fT（transition frequency），下列意義何者正確？
  2. 下列關於 SOI（絕緣層上覆矽，Silicon On Insulator）結構的說明，何者正確？

相關名詞

電流增益(hFE) SiGe(矽鍺) HBT(異質接面雙載子電晶體) 閂鎖效應 FD-SOI(全空乏型SOI) 內建電位 空乏層 穿隧二極體(江崎二極體) 逆向恢復時間 理想因子

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