MEMS製造中常使用SOI晶圓，其理由下列何者正確？

正確答案：B. 因為可將上層的矽層作為結構體，並將埋入氧化膜作為蝕刻停止層或犧牲層

SOI晶圓上層的單晶矽層（數µm～數十µm）厚度精確一致，因此可直接作為可動結構的材料，也沒有多晶矽那樣的殘留應力問題。深蝕刻會準確地停在埋入氧化膜上，再以氫氟酸移除該氧化膜，即可使結構體懸浮，因此便於製造陀螺儀與光學MEMS。代價是晶圓比一般的矽晶圓昂貴。