在閘極蝕刻中，靠近與底層絕緣膜交界處的圖案側面被橫向挖空的現象稱為什麼？

正確答案：B. 缺口效應（notching）

缺口效應是指蝕刻到達底層絕緣膜之後，離子的正電荷累積在絕緣膜表面，使後來的離子軌跡被橫向偏折，圖案根部被橫向挖空的現象。特別容易發生在圖案的端部，使閘極長度局部改變，造成電晶體特性的變異。可藉由脈衝電漿或低頻偏壓來抑制帶電，或調整過蝕刻的條件加以因應。