蝕刻

以完全等向性的濕式蝕刻將厚1 µm的膜恰好蝕到底層時,從遮罩邊緣向橫向蝕除的量(底切)大約是多少?

  1. A約1 µm
  2. B約10 µm
  3. C幾乎為0
查看答案與解析

正確答案:A. 約1 µm

等向性蝕刻在縱向與橫向以相同速度蝕除,因此蝕除1 µm到達底層時,從遮罩邊緣橫向也已蝕除約1 µm(底切)。若再加上過蝕刻,橫向蝕除量還會增加。因此會產生與膜厚相當或更大的尺寸變化,不適合加工比膜厚更細的圖案。反過來,在MEMS中掏空結構下方等用途,則會利用這個性質。

  • A. 正確。與縱向相同,橫向也蝕除約1 µm。
  • B. 若為等向性,橫向的量與縱向幾乎相同,不會是10倍。
  • C. 橫向不被蝕除是理想的非等向性蝕刻的情況。
練習這個領域 前往領域頁面

蝕刻的其他題目

  1. 表示蝕刻所形成的孔或溝槽的側壁相對於垂直傾斜多少的指標是下列何者?
  2. 在氟系氣體的蝕刻中加入少量氧氣時,一般而言下列效果何者正確?
  3. 在蝕刻所使用的一般電漿中,關於離子與自由基的數量關係,下列何者正確?
  4. 將細電極插入電漿中,從改變電壓時的電流來量測電漿的電子溫度與密度的方法是下列何者?
  5. 在乾式蝕刻中,溝槽底部靠近側壁處比中央挖得更深,形成細溝的形狀異常稱為什麼?

這個領域的比較