在閘極電極的蝕刻中，為了保留底層薄薄的閘極絕緣膜，一般採取的做法是下列何者？

正確答案：B. 到中途以蝕刻速率快的條件蝕除，接近底層時切換為與底層選擇比高的條件

在閘極蝕刻中，先以決定形狀的快速條件（主蝕刻）蝕除大部分，偵測到終點後，切換為幾乎不蝕除下方數nm絕緣膜的高選擇比條件（過蝕刻），去除段差的殘餘部分。將條件分成數個階段，便能同時兼顧垂直的形狀與底層的保護。若貫穿閘極絕緣膜，其下的矽會被蝕除，使電晶體成為不良品。

• A. 若維持強條件，連薄薄的底層也會被蝕除。
• B. 正確。分階段切換條件以保留底層。
• C. 以強條件持續蝕除，底層會被貫穿。