什麼是MRAM

利用磁性穿隧接面(MTJ)磁化方向所造成的電阻差異來儲存資訊的非揮發性記憶體。

日文名稱: MRAM

「MRAM」出現在2領域的19道練習題中（新世代記憶體, SRAM與快閃記憶體等）。

這個名詞所屬的領域: 新世代記憶體

練習MRAM的題目

關於 MRAM 的記憶原理，下列何者正確？

A磁性穿隧接面（MTJ）因磁化方向不同而造成的電阻差異
B硫族化物材料的結晶狀態與非晶態之間的電阻差異
C電容中有無儲存電荷

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正確答案：A. 磁性穿隧接面（MTJ）因磁化方向不同而造成的電阻差異

MRAM 使用磁性穿隧接面（MTJ），即以兩個磁性層夾住厚約 1 nm 的絕緣層。磁化方向平行時電阻低，反平行時電阻高，利用這種穿隧磁電阻效應區分 0 與 1，且磁化不需電源即可保持，因此是非揮發性。其優勢在於改寫次數幾乎無限且速度快。利用結晶與非晶之間電阻差異的是相變記憶體，利用電荷的是 DRAM。

與快閃記憶體相比，MRAM 的一般優點，下列何者正確？

A每位元成本低得多
B斷電後資料就會消失
C可改寫次數非常多，寫入也很快

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正確答案：C. 可改寫次數非常多，寫入也很快

MRAM 以磁化方向記憶，因此改寫次數遠多於伴隨氧化膜劣化的快閃記憶體（10¹⁰ 次以上），寫入也很快，只要數～數十 ns，且不需要抹除步驟。因此在微控制器與車用設備的嵌入式記憶體，以及頻繁記錄資料的用途中，採用逐漸增加。另一方面，單元大又無法堆疊，在大容量化與每位元單價上遠不及 NAND 快閃記憶體。

解析中的「MRAM」

MRAM 使用磁性穿隧接面（MTJ），即以兩個磁性層夾住厚約 1 nm 的絕緣層。
關於 MRAM 的記憶原理，下列何者正確？
MRAM 以磁化方向記憶，因此改寫次數遠多於伴隨氧化膜劣化的快閃記憶體（10¹⁰ 次以上），寫入也很快，只要數～數十 ns，且不需要抹除步驟。
與快閃記憶體相比，MRAM 的一般優點，下列何者正確？
2004 年日本產業技術總合研究所與 IBM 分別發表的這項技術，使 0 與 1 的電阻差變大，讓 HDD 的讀取磁頭得以大容量化，也促成了 MRAM 的實用化。
MRAM 的磁性穿隧接面（MTJ）中，廣泛作為穿隧位障層、能得到大穿隧磁電阻比的材料是下列何者？
MRAM 可在後段製程中途製作 MTJ，追加的光罩也只要數片，因此台積電與三星等晶圓代工廠在 22 nm 以下提供嵌入式 MRAM。
MRAM 作為微控制器等的嵌入式非揮發性記憶體而受到矚目，其理由之一，下列何者正確？
MRAM 讀取時，對 MTJ 通以比寫入更小的電流，以與基準電阻比較，將平行（低電阻）或反平行（高電阻）檢測為電流或電壓的差異。
MRAM 資料的讀取方法，下列何者正確？

出現「MRAM」的題目（19題）

出現這個名詞的比較

MRAM、ReRAM、PCM、FeRAM 的差異：新型記憶體比較從記憶原理、寫入方法、速度、抹寫壽命、積體度、課題與用途等面向，以表格比較 MRAM、ReRAM、PCM、FeRAM。