什麼是STT-MRAM
利用自旋極化電流所具有的自旋轉移力矩，使 MTJ 記錄層的磁化翻轉來寫入的 MRAM。已作為嵌入式非揮發性記憶體量產。
日文名稱: STT-MRAM
「STT-MRAM」出現在1領域的4道練習題中（新世代記憶體等）。
這個名詞所屬的領域: 新世代記憶體
練習STT-MRAM的題目
STT-MRAM 寫入資訊的方法，下列何者正確？
- A僅以外部線圈產生的磁場寫入
- B照射紫外線寫入
- C以自旋極化電流產生的自旋轉移力矩使磁化反轉
近年的 STT-MRAM 中，磁化方向垂直於膜面的 MTJ（垂直磁化 MTJ）成為主流，其理由下列何者正確？
- A製造時不再需要磁性材料
- B即使微縮也容易保持熱穩定性，寫入電流也容易降低
- C讀取時可以使用光
解析中的「STT-MRAM」
STT-MRAM 對 MTJ 通以電流，在參考層中自旋方向一致的電子，把角動量傳給記錄層（自旋轉移力矩），使磁化反轉。
STT-MRAM 寫入資訊的方法，下列何者正確？這項材料技術使 STT-MRAM 得以量產（2010 年代後半）。
近年的 STT-MRAM 中，磁化方向垂直於膜面的 MTJ（垂直磁化 MTJ）成為主流，其理由下列何者正確？STT-MRAM 的磁化反轉是受熱擾動影響的機率性現象，即使電流與脈衝寬度相同，也偶爾會寫入失敗（寫入錯誤率）。
STT-MRAM 的寫入具有機率性質，由此造成的設計上課題，下列何者正確？STT-MRAM 的讀取與寫入都是對 MTJ 通以電流，因此若讀取電流接近寫入的反轉電流，每次讀取都可能機率性地使磁化反轉（讀取干擾）。
STT-MRAM 中，必須限制讀取電流大小的理由，下列何者正確？
出現「STT-MRAM」的題目（4題）
相關名詞
磁性穿隧接面(MTJ) MRAM ECC(錯誤更正碼) 讀取干擾 3D XPoint 交叉點型記憶體 記憶體內運算 硫族化合物 電鑄(Forming) 儲存級記憶體