什麼是TMR 比

在 MTJ 中，磁化平行時與反平行時的電阻差，除以平行時的電阻所得的比。越大，越容易讀分 0 與 1。以 MgO 位障層可得到大的值。

日文名稱: TMR比

「TMR 比」出現在1領域的3道練習題中（新世代記憶體等）。

這個名詞所屬的領域: 新世代記憶體

練習TMR 比的題目

關於 MTJ 的穿隧磁電阻比（TMR 比），下列說明何者正確？

  1. A磁化平行時與反平行時的電阻差，除以平行時電阻所得的比值
  2. B絕緣層厚度與磁性層厚度的比值
  3. CMTJ 可通過的最大電流
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正確答案：A. 磁化平行時與反平行時的電阻差，除以平行時電阻所得的比值

TMR 比為 (R反平行 − R平行)/R平行，表示兩種狀態電阻差異的大小。例如 R平行 = 2 kΩ、R反平行 = 5 kΩ，則 TMR 比為 150%。數值越大，越容易讀出 0 與 1，讀取也可以更快。使用 MgO 位障在室溫下也有超過 600% 的報告，但量產的 MRAM 考量元件的小型化與耐熱性，約為 100～200%。

解析中的「TMR 比」

出現「TMR 比」的題目（3題）

  1. 關於 MTJ 的穿隧磁電阻比（TMR 比），下列說明何者正確？
  2. MRAM 的磁性穿隧接面（MTJ）中，廣泛作為穿隧位障層、能得到大穿隧磁電阻比的材料是下列何者？
  3. MRAM 資料的讀取方法，下列何者正確？

相關名詞

磁性穿隧接面(MTJ) MRAM 3D XPoint 交叉點型記憶體 記憶體內運算 硫族化合物 電鑄(Forming) 儲存級記憶體 FeFET(鐵電電晶體) FeRAM(鐵電記憶體)

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