什麼是FeRAM(鐵電記憶體)

利用鐵電體的極化方向來儲存資訊的非揮發性記憶體。寫入快速且低功耗,用於 IC 卡等。

日文名稱: FeRAM(強誘電体メモリ)

「FeRAM(鐵電記憶體)」出現在1領域的9道練習題中(新世代記憶體等)。

這個名詞所屬的領域: 新世代記憶體

練習FeRAM(鐵電記憶體)的題目

FeRAM(鐵電記憶體)利用何種性質來記憶資訊?

  1. A氧化物中導電細絲的形成與消失
  2. B磁電阻效應
  3. C鐵電體自發極化(殘留極化)的方向
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正確答案:C. 鐵電體自發極化(殘留極化)的方向

FeRAM 利用即使移除電壓極化仍然留存的鐵電體性質(殘留極化),以極化的方向記憶 0 與 1。寫入只是使極化反轉,因此不需要像快閃記憶體那樣的高電壓,速度快(數十 ns)、功耗小,改寫次數也多達 10¹² 次以上。過去使用的是 PZT(鋯鈦酸鉛)。使用細絲的是 ReRAM,利用磁電阻的是 MRAM。

近年作為 FeRAM 與鐵電電晶體(FeFET)材料而受到矚目、與 CMOS 製程相容性佳的鐵電材料是下列何者?

  1. A氧化鉿(HfO2)系
  2. B氯化鈉
  3. C聚乙烯
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正確答案:A. 氧化鉿(HfO2)系

氧化鉿一直是 CMOS 中用作 High-k 閘極絕緣膜的材料,2011 年前後有報告指出,添加 Si 或 Zr 而成為特定的結晶相(斜方晶)後,即使厚度只有 10 nm 左右也顯現鐵電性。以往的 PZT 含鉛,變薄後特性下降,難以與 CMOS 整合;相對地,HfO2 系可以用 ALD 沉積出薄而均勻的膜,有望將 FeRAM 與 FeFET 嵌入微細的邏輯電路。

解析中的「FeRAM(鐵電記憶體)」

出現「FeRAM(鐵電記憶體)」的題目(9題)

  1. FeRAM(鐵電記憶體)利用何種性質來記憶資訊?
  2. 近年作為 FeRAM 與鐵電電晶體(FeFET)材料而受到矚目、與 CMOS 製程相容性佳的鐵電材料是下列何者?
  3. 電容型 FeRAM 的讀取特徵,下列何者正確?
  4. FeRAM 一直以來使用的代表性用途,下列何者正確?
  5. FeRAM 的「Fe」代表什麼?
  6. MRAM 與 FeRAM 有時用於太空設備等輻射多的環境,其理由下列何者正確?
  7. 一般而言,可改寫次數最少的記憶體是下列何者?
  8. 鐵電體的遲滯曲線(極化-電場特性)中,即使將電場回到零仍然殘留的極化稱為什麼?
  9. 利用鐵電體極化的方向使通過薄鐵電層的穿隧電流大小改變的元件是下列何者?

出現這個名詞的比較

相關名詞

MRAM ReRAM(電阻式記憶體) CMOS FeFET(鐵電電晶體) ALD(原子層沉積) 位元線 中斷 PCM(相變記憶體) 3D XPoint 交叉點型記憶體

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