什麼是ReRAM(電阻式記憶體)
施加電壓在氧化物等之中形成或切斷導電路徑，利用電阻差異來儲存資訊的非揮發性記憶體。
日文名稱: ReRAM(抵抗変化メモリ)
「ReRAM(電阻式記憶體)」出現在2領域的10道練習題中（新世代記憶體, SRAM與快閃記憶體等）。
這個名詞所屬的領域: 新世代記憶體
練習ReRAM(電阻式記憶體)的題目
關於 ReRAM（電阻式記憶體）的記憶原理，下列何者正確？
- A磁性層磁化方向的差異
- B對金屬氧化物等施加電壓，在高電阻狀態與低電阻狀態之間切換
- C電容中有無儲存電荷
使用電阻式記憶體等的記憶體內運算，主要期待的用途為何？
- A作為顯示器的發光元件
- B作為電池的電極
- C在記憶體陣列中進行乘加運算，減少 AI 處理中的資料搬移與功耗
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正確答案：C. 在記憶體陣列中進行乘加運算，減少 AI 處理中的資料搬移與功耗
AI 的處理需要龐大的乘加運算，記憶體與運算單元之間的資料搬移占了功耗的大半。將電阻變化元件排成陣列，以電導記憶權重，並以電壓給定輸入，就能依歐姆定律（I = GV）做乘法，依克希荷夫電流定律做加法，在導線上一次完成。不過這是類比運算，元件的變異與 ADC 的精度是課題。
解析中的「ReRAM(電阻式記憶體)」
ReRAM 的結構簡單，是以電極夾住金屬氧化物等薄膜，施加電壓時，膜中由氧空缺聚集而成的導電細絲會形成或斷裂，使電阻改變 10 倍以上。
關於 ReRAM（電阻式記憶體）的記憶原理，下列何者正確？多數 ReRAM 在剛製造完成時是高電阻，必須先施加比正常操作更高的電壓，形成氧空缺等導電路徑。
ReRAM 中，最初施加較高電壓以形成導電細絲的初始化步驟稱為什麼？ReRAM 常使用氧化鉿、氧化鉭、氧化鈦等金屬氧化物。
作為 ReRAM 電阻變化層而被研究、實用化的材料例子，下列何者正確？ReRAM 中，導電細絲的粗細與位置是機率性決定的，因此電阻值不僅在單元之間（元件間）變異，同一個單元每次寫入（週期間）也會變異。
ReRAM 單元的電阻值變異大所造成的課題，下列何者正確？雙極型 ReRAM 在設定（低電阻化）與重置（高電阻化）時施加相反極性的電壓，以電場使氧離子等往返，連接或切斷細絲。
ReRAM 的操作方式中，「雙極型」與「單極型」的差異，下列何者正確？
出現「ReRAM(電阻式記憶體)」的題目（10題）
- 關於 ReRAM（電阻式記憶體）的記憶原理，下列何者正確？
- 使用電阻式記憶體等的記憶體內運算，主要期待的用途為何？
- ReRAM 中，最初施加較高電壓以形成導電細絲的初始化步驟稱為什麼？
- 作為 ReRAM 電阻變化層而被研究、實用化的材料例子，下列何者正確？
- ReRAM 單元的電阻值變異大所造成的課題，下列何者正確？
- ReRAM 的操作方式中，「雙極型」與「單極型」的差異，下列何者正確？
- 為了儲存微控制器的程式，而一直與邏輯電路混載在同一晶片上的非揮發性記憶體是下列何者？
- FeRAM（鐵電記憶體）利用何種性質來記憶資訊？
- 一般而言，可改寫次數最少的記憶體是下列何者？
- 銀或銅等金屬離子在固態電解質中移動，形成或切斷導電路徑而改變電阻的記憶體是下列何者？
出現這個名詞的比較
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