什麼是PCM(相變記憶體)

利用硫族化合物材料的結晶狀態(低電阻)與非晶狀態(高電阻)之差異來儲存資訊的非揮發性記憶體。

日文名稱: PCM(相変化メモリ)

「PCM(相變記憶體)」出現在1領域的12道練習題中（新世代記憶體等）。

這個名詞所屬的領域: 新世代記憶體

練習PCM(相變記憶體)的題目

關於相變記憶體（PCM）的記憶原理，下列何者正確？

  1. A磁性層磁化方向的差異
  2. B硫族化物材料的結晶狀態與非晶態之間的電阻差異
  3. C鐵電體極化的方向
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正確答案：B. 硫族化物材料的結晶狀態與非晶態之間的電阻差異

PCM 以電流的焦耳熱對 GeSbTe 等硫族化物材料加熱、急速冷卻，在低電阻的結晶狀態與高電阻的非晶態之間切換。電阻差異高達 2～3 個數量級，也可以做出中間值來達成多值化。同樣的材料也利用結晶與非晶之間光反射率不同的性質，用於可重複寫入的 DVD 與藍光光碟。需要大電流才能寫入是其課題。

相變記憶體（PCM）中，使單元成為高電阻非晶態（重置）的方法，下列何者正確？

  1. A施加磁場使磁化反轉
  2. B以大電流脈衝加熱至熔點以上後急速冷卻
  3. C在結晶化溫度附近長時間保持
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正確答案：B. 以大電流脈衝加熱至熔點以上後急速冷卻

重置時，以大電流脈衝（數十～數百 ns）將材料加熱到熔點（GST 約 600 ℃）以上使其熔化，並在數 ns 內急速冷卻，不給原子排列的時間而成為非晶態。相反地，設定時則是在結晶化溫度以上、熔點以下保持一段時間使其結晶化。重置電流大是 PCM 功耗上的課題，可藉由縮小加熱體積的結構來減少。

解析中的「PCM(相變記憶體)」

出現「PCM(相變記憶體)」的題目（12題）

  1. 關於相變記憶體（PCM）的記憶原理，下列何者正確？
  2. 相變記憶體（PCM）中，使單元成為高電阻非晶態（重置）的方法，下列何者正確？
  3. 相變記憶體（PCM）中，非晶態的電阻值隨時間逐漸增加的現象稱為什麼？
  4. 作為相變記憶體記錄材料的代表 GST，是什麼樣的材料？
  5. 微縮相變記憶體時會成為問題的，寫入時的熱傳到相鄰單元而改變其狀態的現象是下列何者？
  6. 相變記憶體（PCM）中，使單元成為低電阻結晶狀態（設定）時的加熱方式，下列何者正確？
  7. 相變記憶體（PCM）中，在一個單元記憶多個位元（多值化）的方法，下列何者正確？
  8. 交叉點型 PCM 等中，與記憶元件串聯作為選擇器使用、超過某一電壓就會突然導通的硫族化物材料元件是下列何者？
  9. 關於 MRAM 的記憶原理，下列何者正確？
  10. 關於「儲存級記憶體」的定位，下列何者正確？
  11. 一般而言，可改寫次數最少的記憶體是下列何者？
  12. 許多新世代記憶體的研究開發一直以「通用記憶體」為目標，關於其想法，下列何者正確？

出現這個名詞的比較

相關名詞

MRAM 臨界電壓 磁性穿隧接面(MTJ) 儲存級記憶體 非揮發性記憶體 SLC(單階儲存單元) CXL（Compute Express Link） ReRAM(電阻式記憶體) FeRAM(鐵電記憶體) 3D XPoint

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