真性キャリア密度란?

しんせいきゃりあみつど

不純物を含まない半導体で、熱によって生じる電子と正孔の密度(niと書く)。シリコンでは室温で約1×10¹⁰ cm⁻³で、温度が上がると急激に増える。熱平衡では n × p = ni² が成り立つ。

일본어 명칭: 真性キャリア密度