什麼是順向偏壓
對 p 側施加正電壓、對 n 側施加負電壓。位障降低,電流容易流動。反過來施加則為逆向偏壓,幾乎沒有電流流動。
日文名稱: 順方向バイアス
「順向偏壓」出現在1領域的6道練習題中(雙載子電晶體等)。
這個名詞所屬的領域: PN接面與二極體
對 p 側施加正電壓、對 n 側施加負電壓。位障降低,電流容易流動。反過來施加則為逆向偏壓,幾乎沒有電流流動。
日文名稱: 順方向バイアス
「順向偏壓」出現在1領域的6道練習題中(雙載子電晶體等)。
這個名詞所屬的領域: PN接面與二極體
在主動區,基極-射極接面為順向偏壓,使電子從射極注入基極;基極-集極接面為逆向偏壓,以強電場將穿過基極的電子拉往集極。
NPN電晶體用於放大(在主動區工作)時,正確的偏壓條件是哪一個?當作開關使用時,關閉為兩個接面皆為逆向偏壓的截止區,導通為兩者皆為順向偏壓的飽和區。
將雙極性電晶體當作開關使用時,對應於導通狀態的工作區是哪一個?在飽和區,兩個接面皆為順向偏壓,兩個接面的順向電壓幾乎互相抵消,因此VCE(sat)很小,約為0.1〜0.3 V。
矽雙極性電晶體處於飽和區時,集極-射極間電壓的參考值,下列何者正確?在飽和狀態下,基極-集極接面也呈順向偏壓,基極與集極會儲存超過需要的少數載子。
將開關用電晶體從深度飽和狀態關閉時,直到關閉為止需要花時間,其主要理由是哪一個?在飽和區,除了基極-射極接面之外,基極-集極接面也呈順向偏壓。
雙極性電晶體處於飽和區時,接面的狀態下列何者正確?飽和區 截止區 電流增益(hFE) 主動區 內建電位 空乏層 穿隧二極體(江崎二極體) 逆向恢復時間 接面電容(空乏層電容) 理想因子