什麼是後閘極製程(取代式金屬閘極)
先以虛設閘極形成電晶體，在源極、汲極活化等高溫製程之後，移除虛設閘極並置換成High-k膜與金屬閘極的製法。
日文名稱: ゲートラスト(リプレースメントメタルゲート)
這個名詞所屬的領域: 先進電晶體（FinFET與GAA）
相關名詞
奈米片 隨機摻雜物波動(RDF) CFET(互補式場效電晶體) DTCO(設計與技術協同最佳化) EOT(等效氧化層厚度) FD-SOI(全空乏型SOI) FinFET(鰭式場效電晶體) GAA(環繞式閘極) High-k／金屬閘極 SADP(自對準雙重圖案化)