可靠度
在High-k／金屬閘極的nMOS電晶體中，持續施加正的閘極電壓與高溫時，臨界電壓會逐漸變化的劣化，稱為什麼？
- A閂鎖效應
- BPBTI（正偏壓溫度不穩定性）
- C電遷移
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正確答案：B. PBTI（正偏壓溫度不穩定性）
PBTI是指nMOS承受正的閘極電壓與高溫，電子被High-k膜中的缺陷捕獲，使臨界電壓逐漸上升的劣化。在SiO2閘極絕緣膜中影響很小，但隨著缺陷較多的HfO2等High-k材料的導入而成為問題。它與發生在pMOS的NBTI互為一對的現象，兩者都會使電路變慢。閂鎖效應與電遷移則是其他的故障。
- A. 閂鎖效應是寄生閘流體造成大電流的現象。
- B. 正確。這是發生在nMOS的正偏壓溫度不穩定性。
- C. 電遷移是配線金屬原子的移動。