什麼是DZ(無缺陷區)

透過熱處理使表面附近的氧向外擴散,在晶圓表面形成的氧析出物等缺陷較少的層。元件製作在此層,內部的析出物則用於吸附雜質。

日文名稱: DZ(無欠陥層)

「DZ(無缺陷區)」出現在1領域的1道練習題中(矽晶圓等)。

這個名詞所屬的領域: 矽晶圓

練習DZ(無缺陷區)的題目

對晶圓進行熱處理,使表面附近的氧向外擴散,在要製作元件的表面形成缺陷少的層。這一層稱為什麼?

  1. A埋入氧化膜(BOX層)
  2. BDZ(無缺陷層)
  3. CLDD
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正確答案:B. DZ(無缺陷層)

以1100 ℃以上的高溫進行熱處理,使表面附近的氧向外擴散,表面就會形成數十µm沒有氧析出物的無缺陷層(DZ:Denuded Zone)。之後若以低溫、中溫熱處理在內部形成析出物,就成為吸附層。這是元件製作在無缺陷的表面,而金屬汙染在內部被捕捉的結構。近年也使用在氫或氬氣中退火,或以快速熱處理做出這種結構的晶圓。

解析中的「DZ(無缺陷區)」

出現「DZ(無缺陷區)」的題目(1題)

  1. 對晶圓進行熱處理,使表面附近的氧向外擴散,在要製作元件的表面形成缺陷少的層。這一層稱為什麼?

相關名詞

氧析出物(BMD) 退火 RTP(快速熱處理) 西門子法 吸附雜質技術(Gettering) 偏析係數 晶格滑移 晶棒 晶圓缺口(Notch) 晶體方向

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