電阻是什麼?簡單看懂歐姆定律與電壓、電流

約 10 分鐘 · 更新:2026年10月23日

電阻是電流流動的困難程度。電壓(推動電的力量的差)和電流(每秒流過的電量),以「電壓 = 電流 × 電阻」這條歐姆定律連在一起。電阻器就是利用這個關係,來決定電流或分配電壓的零件。電流流過電阻時,電會變成熱,這也是晶片會變熱的原因之一。

這篇文章可以了解

  • 電壓、電流、電阻各自代表什麼
  • 歐姆定律的意思,以及用簡單數字計算
  • 電阻器的2種用途:決定LED的電流、分配電壓
  • 電在電阻中變成熱的原理,以及晶片變熱的原因
  • 晶片的導線越細,電阻為什麼越大

先備知識:不需要。只會用到乘法和除法。

生活中的例子

烤麵包機和吹風機是用電來產生熱的。裡面有不容易導電的金屬線(例如鎳鉻合金線)。它們刻意讓電流過這種難導電的線,讓線變熱。這種「難以通過」的程度,就是電阻。

看看家電的電路板,會發現畫著彩色色環的小零件,這就是電阻器。在手機這類小型裝置裡,用的是比芝麻粒還小的方形電阻器(晶片電阻)。電阻器是電子電路中最基本的零件之一。

用手機玩吃效能的遊戲時,機身會變熱,這也和電阻有關。因為晶片裡電流經過的每條路,都多少有一點電阻。這篇文章會先從電壓與電流的意思開始,依序說明。

原理①:電壓、電流、電阻是什麼

攜帶電的,是能在金屬中移動、非常小的粒子。這種粒子稱為電子。接上電池後,電路中的電子會一起一點一點地移動。這就是「電在流動」的意思。

每秒有多少電通過某個地方,稱為電流。單位是A(安培)。1 A的1000分之1是1 mA(毫安培)。

推動電流的力量大小,稱為電壓。單位是V(伏特)。電壓一定是「2個點之間的差」。乾電池的1.5 V,意思是正極和負極的差為1.5 V。

即使加上相同的電壓,接上的東西不同,流過的電流也不同。這種流動的困難程度就是電阻,單位是Ω(歐姆)。加上1 V時流過1 A的東西,電阻就是1 Ω。

原理②:歐姆定律

在大多數金屬中,加上的電壓變成2倍,流過的電流也剛好變成2倍。電流與電壓成正比,決定這個比例的就是電阻。德國物理學家歐姆在1827年發表了這個關係(大英百科全書),稱為歐姆定律。

用文字寫就是「電壓 = 電流 × 電阻」。把電壓寫成V、電流寫成I、電阻寫成R,也可以表示成V = IR。改成除法就是「電流 = 電壓 ÷ 電阻」。只要知道其中2個,就能算出剩下的1個。

在1.5伏特的乾電池接上100歐姆的電阻,電流為1.5÷100,等於0.015安培,也就是15毫安培 在乾電池接上1個電阻 + 1.5 V 100 Ω 電流 15 mA 電流 = 電壓 ÷ 電阻 1.5 ÷ 100 = 0.015 A
方框是電阻的符號(日本JIS標準與國際IEC標準所規定的圖形符號)。箭頭是電流的方向(規定為與電子移動的方向相反)。省略的部分:電池內部的電阻,以及連接線的電阻。

用例子來確認。在1.5 V的乾電池接上100 Ω的電阻。流過的電流是1.5 ÷ 100 = 0.015 A,也就是15 mA。把電阻加倍成200 Ω,電流就減半成7.5 mA。

不過,並不是所有東西都成正比。只讓電流往一個方向流的零件(二極體)和LED,電壓超過某個值後,電流會急遽增加(「二極體是什麼?」)。即使是金屬,溫度上升時電阻也會稍微變大。請把歐姆定律想成在一定條件下很準確的規則。

原理③:決定電阻大小的3個因素

像電線這樣的東西,電阻由3個因素決定。越長電阻越大,越粗電阻越小。因為長的路比較難通過,粗的路能讓許多電子並排通過。

第3個是材料。即使形狀相同,不同材料的導電難易度也差很多。這種每種材料固有的導電困難程度,稱為電阻率。20 ℃時的電阻率,若以銅為1,鋁約為1.6倍,用在電熱器的鎳鉻合金約為60倍。這是根據美國喬治亞州立大學物理解說網站的表格算出的。

寫成公式就是:電阻 = 電阻率 × 長度 ÷ 截面積。截面積是把線橫切時,切口的面積。依照導電的難易度,物質可分為導體、半導體、絕緣體(導體、半導體、絕緣體的差異)。

電阻器的用途①:決定LED的電流

電阻器是做成具有固定電阻值的零件。它最常見的工作,是把流過的電流限制在剛好的大小。最具代表性的例子,就是和LED一起使用的電阻。

LED的電壓超過某個值後,電流會急遽增加。所以直接接上電源時,電流會過大而燒壞(「LED為什麼會發光?」)。因此要把電阻接成一列(串聯),來決定電流。這時,LED上的電壓可以看成幾乎固定。

電阻器的2種用途。使用5伏特的電源時,LED上約2伏特,300歐姆的電阻上3伏特,流過10毫安培。用2個10千歐姆的電阻分配5伏特,中間的點是2.5伏特 ① 決定LED的電流 5 V 300 Ω LED 3 V 約2 V 3 V ÷ 300 Ω = 10 mA ② 把電壓分成一半 5 V 10 kΩ 10 kΩ 0 V 2.5 V
上方是把電池、LED與電阻接成一圈的電路,下方是在電源的5 V與0 V之間排了2個電阻的電路。省略的部分:LED的電壓會隨電流與型號而稍有不同;下方電路的輸出端若再接上其他電路,電壓會下降。

用數字算算看。電源是5 V,紅色LED的電壓假設約2 V(ROHM紅色LED的典型值是20 mA時1.9 V)。想讓10 mA流過。電阻分到的是剩下的5 − 2 = 3 V。

由歐姆定律,電阻 = 3 V ÷ 0.01 A = 300 Ω。電子零件店的資料也是用同樣的想法計算(日本的秋月電子通商)。實際上,會從市售的電阻值中選最接近的(LED電阻計算工具)。

電阻器的用途②:分配電壓

把2個電阻接成一列再接上電源,2個電阻會流過相同的電流。每個電阻上的電壓是「電流 × 電阻」,所以電壓會依電阻值的比例分配。2個電阻值相同時,剛好各分一半。

在5 V接上2個10 kΩ(1萬Ω)的電阻,中間的點就是2.5 V。流過的電流是5 V ÷ 2萬Ω = 0.25 mA。這種電路稱為分壓電路,用在測量電池電壓的電路,或讀取感測器訊號的電路中(分壓電路計算工具)。

串聯與並聯接法的差異,整理成表格放在串聯與並聯的差異。

電變成熱的原理

電子在金屬中前進時,會一邊撞上原子的振動等,一邊前進。每撞一次,電能的一部分就會變成讓原子振動的能量,也就是熱。這就是電阻會發熱的原理。這裡把原子世界的情形大幅簡化了。

每秒使用的能量稱為功率,單位是W(瓦特)。功率可以用「電壓 × 電流」求出。因為電壓是「電流 × 電阻」,功率也可以寫成「電流 × 電流 × 電阻」。由電流與電阻求出熱的這個關係,是英國的焦耳在1840年發現的(大英百科全書)。

在LED的例子中,電阻的功率是3 V × 0.01 A = 0.03 W(30 mW)。有引線的電阻器,常見可用到1/4 W(0.25 W)的型號(KOA的規格書)。這個「最多可以用到這裡」的上限,稱為額定值。30 mW大約是額定值的8分之1,所以這個電阻幾乎不會變熱。

電流變成2倍,熱就變成4倍,因為熱與電流的平方有關。在大電流流過的地方,即使只有一點點電阻,也會產生很多熱。

晶片為什麼會變熱

晶片裡的電晶體,是讓電通過或停止的開關(「電晶體是什麼?」)。不過,即使在導通時,電阻也不會變成零。這個留下來的電阻,稱為導通電阻。

晶片裡有很多電晶體,每秒切換好幾億次。每次切換,都會讓導線等處充電,或把充的電放掉。這時流過的電流,會經過導通電阻和導線的電阻而變成熱。停止中的電晶體,也會漏出微小的電流。這些的細節,在靜態功耗與動態功耗的差異中有詳細說明。

晶片使用的功率,最後幾乎全部都會變成熱。例如NVIDIA在2022年發表的AI運算用晶片H100。它的伺服器用SXM版,設計上最多使用700 W(NVIDIA的產品資訊)。這表示1個零件會發出接近1台小型電暖器的熱。散熱方式也要設計成能把這些熱排出去。

熱散出去的路徑,也有和歐姆定律相同形式的想法。熱散出的困難程度稱為熱阻,用「溫度上升 = 熱阻 × 功率」來估算(ROHM的資料)。也就是用溫度差取代電壓,用熱的流動取代電流(接面溫度計算器)。熱要怎麼散出去,請看「晶片怎麼散熱?」。

晶片裡的導線與電阻

在晶片裡,用金屬細導線把電晶體連接起來。導線疊了很多層,越下層越細,越上層越粗(多層金屬導線)。IBM在1997年發表之後,導線的金屬就從以鋁為主換成了銅(IBM的歷史頁面)。

如同原理③所說,導線的電阻與截面積成反比。把寬度和厚度都減半,截面積就變成4分之1,同樣長度的電阻變成4倍。晶片做得越精細,導線的電阻就越大。

同樣長度的導線,寬度與厚度都減半時,截面積變成4分之1,電阻變成4倍。非常細的導線中,銅本身也會變得較難導電 切口越小,電阻越大 粗導線 寬、厚各減半 截面積 1 截面積 1/4 電阻 1 電阻 4倍 非常細時,銅也會變得難導電
把導線橫切後,從正面看切口的示意圖(假設長度相同)。省略的部分:包住導線的薄膜(阻障金屬)與周圍的絕緣膜。這層膜比銅更難導電,會讓實際的電阻更大。

用數字比較看看。住家配線用的直徑1.6 mm銅線,每1 mm的電阻約0.0000085 Ω。晶片中寬50 nm、厚100 nm的銅導線,每1 mm約3,400 Ω。nm(奈米)是100萬分之1 mm。同樣長度,電阻約為4億倍。兩者都是用表格中銅的電阻率算出的。

不過,實際細導線的電阻,會比這個計算更大。因為表格的值,是大塊銅的值。銅裡的電子在碰撞前,平均前進約40 nm(美國倫斯勒理工學院Gall的論文)。導線寬度和這個差不多或更細時,電子撞上導線表面的次數會增加。撞上金屬小晶粒之間交界(晶界)的次數也會增加。因此,銅本身就變得較難導電。2018年Intel的「10 nm」世代,最細導線的間距是36 nm(TechInsights)。間距是1條線加上1個空隙的寬度,線寬約為它的一半。世代名稱中的數字,並不是實際的尺寸(「「2奈米」「3奈米」是什麼的長度?」)。

因此,在最細的地方,已經開始使用銅以外的金屬。例如Intel的「10 nm」世代,在最下面2層導線使用了鈷(Intel在2017年的論文)。銅和其他金屬的差異,整理成表格放在銅、鈷、釕導線的差異。導線的電阻也是訊號延遲的原因之一(「時間常數RC是什麼?」)。

電源導線中發生的事

把電送到晶片的電源導線也有電阻。電流流過時,電壓會依歐姆定律在途中下降。這種電壓的下降稱為IR壓降,I代表電流,R代表電阻。送到電晶體的電壓下降後,運作會變慢,或發生錯誤動作。

用說明用的數字來想想看。假設電源為1 V的晶片,流過100 A。路徑的電阻如果是0.001 Ω,下降的電壓就是100 × 0.001 = 0.1 V。只有1000分之1 Ω,就損失了1成的電壓。電壓越低、電流越大的晶片,導線的電阻影響就越大。

對策之一,是把電源導線繞到晶片背面,不經過正面的細導線就把電送到電晶體,稱為背面供電。Intel在稱為18A的世代採用這種方式,並說明能大幅減少電壓下降(Intel的資料)。

電流集中在細導線時,還會發生另一個問題。金屬原子被流動的電子推擠,會一點一點地移動。時間久了,導線會出現空隙而斷掉,或隆起的地方和旁邊的導線碰在一起。德國德勒斯登工業大學的Lienig等人對此做了解說。這種現象稱為電遷移,溫度越高進行得越快(「阿瑞尼斯方程式是什麼?」)。

常見的誤解

誤解:電流通過電阻或LED後,會被用掉而變少

實際上,在接成一圈的電路中,每個地方流過的電流都一樣大。被用掉而減少的不是電流,而是電能。每通過一個電阻電壓就會下降,那部分的能量會變成熱或光。

誤解:電阻越大,一定越熱

實際上,依條件不同可能相反。流過相同電流時,熱是「電流 × 電流 × 電阻」,所以電阻越大越熱。加上相同電壓時,電阻越小電流越大,熱也越多。把電源的正極和負極直接接在一起(短路)很危險,就是這個原因。

誤解:電子在電線中以光速奔跑

實際上,電子平均前進的速度非常慢。在直徑約2 mm的銅線中通以20 A,每秒也只有約0.5 mm(美國的大學教科書OpenStax)。傳得很快的,是推動電子的力量。所以一打開開關,遠處的電燈也會馬上亮。

從數字來看

數字代表什麼
1 Ω加上1 V時流過1 A的電阻
15 mA在1.5 V的乾電池接上100 Ω時的電流
300 Ω用5 V電源讓紅色LED流過10 mA所需的電阻
約60倍鎳鉻合金的電阻率,以銅為1時(20 ℃)
約4億倍同樣1 mm長時,晶片細導線(50 nm × 100 nm)與直徑1.6 mm銅線的電阻比(由表格的電阻率算出,實際更大)
約40 nm銅中的電子在碰撞前平均前進的距離
最大700 WNVIDIA H100(SXM版,2022年發表)使用功率的上限(熱設計功耗)
1827年歐姆發表定律的年份

晶片裡1 mm的導線竟然有數千Ω,可能讓人意外。即使如此晶片仍能運作,是因為大多數導線都非常短,流過的電流也很小。長距離的導線和電源導線,會使用上層的粗導線。

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這個領域的題目: 電路與電磁學基礎

參考資料

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