晶圓測試與最終測試的差異:時機、接觸方式、溫度、項目、目的比較
晶圓測試是在前段製程結束、切割之前的晶圓上,將探針卡的探針接觸各晶片的電極墊,檢查良否的測試。在封裝之前剔除不良晶片,就不會浪費封裝與組裝的費用。最終測試是將組裝成封裝後的 IC 以分類機放入測試座進行量測的測試,連同組裝時產生的不良在內,確認其符合規格運作後再出貨。
| 項目 | 晶圓測試(探針測試) | 最終測試 |
|---|---|---|
| 時機 | 前段製程結束後、切割之前 | 組裝(封入封裝)完成後、出貨之前 |
| 對象 | 晶圓上的所有晶片 | 封入封裝的 IC(將晶圓測試中為良品的晶片組裝而成) |
| 接觸方式 | 由針測機移動晶圓,讓探針卡的探針接觸晶片的電極墊 | 由分類機將 IC 放入測試座,以彈簧針等接觸封裝的端子(引腳或錫球) |
| 使用的設備 | 測試機、針測機、探針卡 | 測試機、分類機、裝有測試座的負載板 |
| 溫度 | 改變承載晶圓的吸盤溫度進行量測。除了室溫之外,有時也在高溫或低溫下量測 | 以分類機加熱或冷卻 IC,多在產品保證溫度範圍的高溫與低溫下量測 |
| 主要測試項目 | 直流特性(漏電流等)、功能測試、掃描測試。記憶體還要進行將不良位元替換成備用的修復用量測 | 功能、直流特性、時序等交流特性、實際速度下的運作。依速度等進行等級分類 |
| 高速訊號的量測 | 受探針電氣特性的限制,高速訊號或大電流的量測有時較困難 | 測試座在電氣上較有利,較容易量測高速訊號 |
| 找出不良品的目的 | 在組裝前剔除不良晶片,節省封裝與組裝的費用。從晶圓圖及早發現製程問題 | 連同組裝時產生的不良(連接不良等)一併剔除,保證品質後出貨 |
| 不良品的處理 | 將不良晶片記錄在晶圓圖的電子資料中,組裝時不使用(過去以墨水做記號) | 剔除不良品,良品依性能等分類後出貨 |
| 與 KGD 的關係 | 將多顆晶片裝在 1 個封裝中時,需要在這個階段確認為良品的晶片(KGD) | 組裝後才發現不良,也很難只替換不良的晶片 |
數值為具代表性的大致參考值,會因世代或產品而異。