靜態、動態與晶圓級預燒測試的差異：應力、涵蓋性、成本比較

適用於什麼情況

靜態預燒測試

即使不讓電路動作，也能以電壓應力加速主要缺陷的產品，且想壓低設備與成本時。

動態預燒測試

內部電路複雜，不動作就無法承受應力的部分很多的產品，想更確實地進行篩選時。

晶圓級預燒測試

需要在封裝前確認為良品的裸晶（KGD）時。例如 1 個不良就會使整體不良的多晶片堆疊封裝等。

在測試流程中的位置

一般的流程為晶圓測試、組裝、最終測試、出貨，封裝後的預燒測試安排在最終測試的前後。晶圓級預燒測試則是在晶圓測試階段施加應力的方法。

理解度檢測

1. 下列何者是一般半導體產品測試流程的正確順序？
2. 在藉由提高溫度來縮短壽命試驗時間的加速試驗中，常用來表示溫度與壽命關係的模型是下列何者？
3. 讓產品在高溫下長時間運作，以評估壽命與故障率的代表性可靠度試驗是下列何者？

前往測試與檢查的練習題

相關名詞的解說

預燒測試(Burn-in)

在高溫、高電壓等應力條件下使產品運作，於出貨前剔除容易發生早期失效之產品的測試。

浴缸曲線

表示失效率隨時間變化的曲線。由早期失效期、隨機失效期與耗損失效期組成，形狀如同浴缸。

KGD(已知良品晶粒)

在構裝之前已確認為良品的晶片。將多顆晶片疊入同一封裝時，只要混入一顆不良品整體就會成為不良，因此相當重要。

阿瑞尼斯模型

假設反應或劣化的速度隨溫度以exp(−Ea/kT)變化的模型。用於從提高溫度的加速試驗結果，推估實際使用溫度下的壽命。

晶圓測試(探針測試)

在切割之前，將探針接觸晶圓上各晶片的電極，檢查電氣特性的步驟。可在組裝前找出不良晶片，避免無謂的組裝。

相關的比較

• 打線接合與覆晶的差異：晶片連接方式比較以連接方式、輸入輸出數量、電氣性能、成本、尺寸、製程與用途等面向，用表格比較打線接合與覆晶。
• SEM與TEM的差異：電子顯微鏡的使用時機比較以原理、可觀察的內容、解析度、試片準備、加速電壓、速度、成本與晶片分析中的用途等面向，用表格比較SEM與TEM。
• BGA、QFP、QFN 的差異：比較 IC 封裝的種類以端子、腳位數、間距、大小、電氣性能與散熱、檢查與用途等面向，用表格比較 BGA、QFP、QFN 封裝。
• 球形接合與楔形接合的差異：材料、製程、方向性、用途比較從接合的形狀、工具、接合的能量、線材材料（Au、Cu 與 Al、帶狀線）、線徑、方向性、速度、線弧、可靠度與用途等面向，以表格比較球形接合與楔形接合，並說明各自適用的時機。
• DRAM 與 SRAM 的差異：結構、速度、成本、用途比較從單元結構、更新、速度、積體度、成本、耗電量與用途等面向，以表格比較 DRAM 與 SRAM，並說明各自適用的時機。
• NAND 型與 NOR 型快閃記憶體的差異：速度、容量、用途比較從單元的連接方式、讀取速度、抹除單位、容量、成本、可靠度與用途等面向，以表格比較 NAND 型與 NOR 型快閃記憶體。