扇入型與扇出型晶圓級封裝的差異：重佈線、面積、端子數、重構晶圓、用途比較
兩者都是在晶圓狀態下製作重佈線層（RDL）與錫球後再切割的封裝。扇入型直接在原本的晶圓上製作，因此端子只能配置在晶片面積的內側，封裝與晶片幾乎同樣大小。扇出型則是將切割出的良品晶片間隔排列，以樹脂填埋製成重構晶圓，再將重佈線擴展到晶片外側。可以配置大量端子，也能整合多顆晶片，但製程步驟增加，翹曲與晶片位置偏移成為課題。
| 項目 | 扇入型晶圓級封裝 | 扇出型晶圓級封裝 |
|---|---|---|
| 重佈線的範圍 | 只在晶片面積的內側 | 擴展到晶片外側的樹脂上 |
| 封裝與晶片的面積 | 幾乎相同（晶片尺寸） | 封裝較大 |
| 端子數（參考值） | 較少。由晶片面積與錫球間距決定，約數個至數百個 | 多。晶片外側也能配置端子，有時超過一千個 |
| 製造的起點 | 原本的元件晶圓 | 將良品晶片排列在載板上，以模封樹脂填埋而成的重構晶圓（也有以面板製作的方式） |
| 基板 | 不使用 | 多半不使用。重佈線層扮演基板的角色，因此可以做得薄（高效能產品也有再搭載於基板上者） |
| 多顆晶片 | 只有 1 顆晶片 | 可將多顆晶片或被動元件整合在 1 個封裝中 |
| 主要課題 | 晶片較大時，與印刷電路板之間的熱膨脹差會使錫球接點壽命縮短 | 矽與樹脂的熱膨脹差造成的翹曲、封膠時的晶片位置偏移（die shift）、樹脂上的微細重佈線 |
| 成本 | 便宜。製程步驟少 | 比扇入型貴。晶片配置、模封、樹脂上重佈線的步驟增加 |
| 主要用途 | 智慧型手機等的小型晶片。電源 IC、RF 元件、感測器、音訊用 IC 等 | 智慧型手機的應用處理器、RF 模組、多顆晶片的整合，以及高效能小晶片的連接 |
數值為具代表性的大致參考值，會因世代或產品而異。