TMR比とは
てぃーえむあーるひ
MTJで、磁化が平行のときと反平行のときの抵抗の差を、平行のときの抵抗で割った比。大きいほど0と1を読み分けやすい。MgOの障壁層で大きな値が得られる。
この用語の分野: 次世代メモリ
解説の中の「TMR比」
TMR比は (R反平行 − R平行)/R平行 で、2つの状態の抵抗の違いの大きさを表します。
MTJのトンネル磁気抵抗比(TMR比)の説明として正しいものはどれか。結晶性のMgOをトンネル障壁に使うと、特定の対称性をもつスピンの電子だけが選択的にトンネルするため、室温で数百%に達する大きなTMR比が得られます(従来の非晶質Al2O3では数十%)。
MRAMの磁気トンネル接合(MTJ)で、トンネル障壁層として広く使われ、大きなトンネル磁気抵抗比が得られる材料はどれか。TMR比が100〜200%程度あっても、抵抗の差は2〜3倍しかなく、DRAMやフラッシュより読み出しの余裕は小さめです。
MRAMのデータの読み出し方法として正しいものはどれか。
「TMR比」が出てくる問題(3問)
関連する用語
磁気トンネル接合(MTJ) MRAM インメモリコンピューティング SOT-MRAM STT-MRAM FeRAM(強誘電体メモリ) カルコゲナイド クロスポイント型メモリ ストレージクラスメモリ 3D XPoint