次世代メモリ
MRAMの磁気トンネル接合(MTJ)で、トンネル障壁層として広く使われ、大きなトンネル磁気抵抗比が得られる材料はどれか。
- A酸化マグネシウム(MgO)
- B銅
- C多結晶シリコン
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正解：A. 酸化マグネシウム(MgO)
結晶性の酸化マグネシウム(MgO)をトンネル障壁に使うと、特定のスピンをもつ電子が選択的にトンネルするため、非常に大きなトンネル磁気抵抗比が得られます。これにより、0と1の抵抗差が大きくなり、MRAMやハードディスクの読み取りヘッドの性能が大きく向上しました。