次世代メモリ
MRAMの書き込みエネルギーを下げる方法として研究されている、電圧で磁性層の磁気異方性を変える効果はどれか。
- Aゼーベック効果
- BVCMA(電圧制御磁気異方性)
- Cピエゾ抵抗効果
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正解：B. VCMA(電圧制御磁気異方性)
VCMA(Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy)は、薄い磁性層と絶縁層の界面に電圧を加えると、磁化の向きやすさ(磁気異方性)が変わる効果です。電流をほとんど流さずに磁化反転を助けられるため、電流で書き込むSTT方式より書き込みエネルギーを大きく下げられると期待されています。
- A. ゼーベック効果は温度差から電圧が生じる熱電効果です。
- B. 正しい。電圧で磁気異方性を変える効果です。
- C. ピエゾ抵抗効果は応力で抵抗が変わる効果で、圧力センサなどに使われます。