磁気トンネル接合(MTJ)とは
じきとんねるせつごう
薄い絶縁膜を2つの磁性層で挟んだ構造。2層の磁化の向きがそろうと抵抗が低く、逆向きだと高くなる。MRAMの記憶素子。
この用語の分野: 次世代メモリ
解説の中の「磁気トンネル接合(MTJ)」
膜面内に磁化をもつMTJは、楕円形などの素子の形状で磁化の向きを安定させるため、小さくすると安定性が保てません。
近年のSTT-MRAMで、磁化の向きが膜面に垂直なMTJ(垂直磁化MTJ)が主流になった理由として正しいものはどれか。MTJは、トランジスタを作り終えた後の配線工程(BEOL)で、配線層の間に形成されます。
MRAMの記憶素子(MTJ)は、ロジックLSIのどの工程でつくり込むのが一般的か。MTJの一方は磁化の向きが固定された参照層(固定層)、もう一方は書き込みで向きを反転できる自由層(記録層)で、自由層が参照層と平行か反平行かで0と1を記憶します。
MTJを構成する2つの磁性層の役割として正しいものはどれか。
「磁気トンネル接合(MTJ)」が出てくる問題(14問)
- MRAMの磁気トンネル接合(MTJ)で、トンネル障壁層として広く使われ、大きなトンネル磁気抵抗比が得られる材料はどれか。
- MRAMで、記憶素子(MTJ)を小さくしすぎると問題になりやすいことはどれか。
- 近年のSTT-MRAMで、磁化の向きが膜面に垂直なMTJ(垂直磁化MTJ)が主流になった理由として正しいものはどれか。
- MRAMの記憶素子(MTJ)は、ロジックLSIのどの工程でつくり込むのが一般的か。
- MTJのトンネル磁気抵抗比(TMR比)の説明として正しいものはどれか。
- MTJで、2つの磁性層の磁化の向きが平行のときと反平行のときの抵抗の関係として正しいものはどれか。
- MTJを構成する2つの磁性層の役割として正しいものはどれか。
- MRAMの記憶原理として正しいものはどれか。
- STT-MRAMで情報を書き込む方法として正しいものはどれか。
- SOT-MRAMの特徴として正しいものはどれか。
- MRAMが、マイコンなどの組み込み不揮発メモリとして注目されている理由の一つとして正しいものはどれか。
- MRAMのデータの読み出し方法として正しいものはどれか。
- MRAMで1ビットの情報を記憶する素子として使われる、2つの磁性層で薄い絶縁層を挟んだ構造を何と呼ぶか。
- STT-MRAMで、読み出し電流の大きさに制限が必要になる理由として正しいものはどれか。
関連する用語
MRAM TMR比 STT-MRAM PCM(相変化メモリ) SOT-MRAM マイコン(マイクロコントローラ) フローティングゲート High-k/メタルゲート ファウンドリ インメモリコンピューティング