PCM(相変化メモリ)とは

ぴーしーえむ

カルコゲナイド材料の結晶状態(低抵抗)とアモルファス状態(高抵抗)の違いで情報を記憶する不揮発性メモリ。

この用語の分野: 次世代メモリ

解説の中の「PCM(相変化メモリ)」

「PCM(相変化メモリ)」が出てくる問題(12問)

  1. 相変化メモリ(PCM)の記憶原理として正しいものはどれか。
  2. 相変化メモリ(PCM)で、セルを高抵抗のアモルファス状態にする(リセットする)方法として正しいものはどれか。
  3. 相変化メモリ(PCM)で、アモルファス状態の抵抗値が時間とともに少しずつ増加していく現象を何と呼ぶか。
  4. 相変化メモリの記録材料として代表的なGSTとはどのような材料か。
  5. 相変化メモリを微細化するときに問題になる、書き込み時の熱が隣のセルに伝わって状態を変えてしまう現象はどれか。
  6. 相変化メモリ(PCM)で、セルを低抵抗の結晶状態にする(セットする)ときの加熱のしかたとして正しいものはどれか。
  7. 相変化メモリ(PCM)で、1つのセルに複数ビットを記憶する(多値化する)方法として正しいものはどれか。
  8. クロスポイント型のPCMなどで、記憶素子と直列に置くセレクタとして使われる、ある電圧を超えると急に導通するカルコゲナイド材料の素子はどれか。
  9. MRAMの記憶原理として正しいものはどれか。
  10. 「ストレージクラスメモリ」の位置づけとして正しいものはどれか。
  11. 一般に、書き換え可能回数が最も少ないメモリはどれか。
  12. 多くの次世代メモリの研究開発で目標とされてきた「ユニバーサルメモリ」の考え方として正しいものはどれか。

関連する用語

カルコゲナイド MRAM しきい値電圧 磁気トンネル接合(MTJ) ストレージクラスメモリ 不揮発性メモリ SLC(シングルレベルセル) ReRAM(抵抗変化メモリ) FeRAM(強誘電体メモリ) インメモリコンピューティング

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