次世代メモリ

MRAMの「M」が表すものとして正しいものはどれか。

  1. AMicro(微小)
  2. BMagnetoresistive(磁気抵抗)
  3. CMulti-level(多値)
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正解：B. Magnetoresistive(磁気抵抗)

MRAMは Magnetoresistive Random Access Memory の略で、磁化の向きによって抵抗が変わる磁気抵抗効果を利用して情報を読み出します。

  • A. 大きさを表す略語ではありません。
  • B. 正しい。磁気抵抗効果を利用するメモリです。
  • C. 多値記憶を表す略語ではありません。
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