STT-MRAMとは
えすてぃーてぃーえむらむ
スピン偏極した電流がもつスピントランスファートルクで、MTJの記録層の磁化を反転させて書き込むMRAM。組み込み用の不揮発メモリとして量産されている。
この用語の分野: 次世代メモリ
解説の中の「STT-MRAM」
STT-MRAMでは、MTJに電流を流し、参照層でスピンの向きがそろった電子が記録層に角運動量を渡す(スピントランスファートルク)ことで磁化を反転させます。
STT-MRAMで情報を書き込む方法として正しいものはどれか。この材料技術が、STT-MRAMの量産化(2010年代後半)を可能にしました。
近年のSTT-MRAMで、磁化の向きが膜面に垂直なMTJ(垂直磁化MTJ)が主流になった理由として正しいものはどれか。STT-MRAMの磁化反転は熱ゆらぎの影響を受ける確率的な現象で、同じ電流とパルス幅でも、まれに書き込みに失敗します(書き込みエラー率)。
STT-MRAMの書き込みが確率的な性質をもつことによる設計上の課題として正しいものはどれか。
「STT-MRAM」が出てくる問題(4問)
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