次世代メモリ

一般に、書き換え可能回数が最も少ないメモリはどれか。

  1. ADRAM
  2. BSRAM
  3. CNANDフラッシュメモリ
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正解:C. NANDフラッシュメモリ

DRAMやSRAMは書き換えによる劣化がほとんどなく、実質的に無制限に書き換えられます。NANDフラッシュは、トンネル酸化膜の劣化のため、書き換え可能回数が数千〜数万回程度(多値ほど少ない)に限られます。MRAMは非常に多くの書き換えに耐えるとされています。

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