MRAMやFeRAMが宇宙機器など放射線の多い環境で使われることがある理由として正しいものはどれか。

正解：C. 記憶に電荷を使わないため、放射線によるデータの反転が起こりにくいため

DRAMやフラッシュメモリは電荷の量で情報を記憶するため、放射線が生む電荷でデータが反転することがあります。MRAMは磁化、FeRAMは分極で記憶するため、記憶そのものは放射線の影響を受けにくい特徴があります(周辺回路の対策は別に必要です)。

• A. 放射線を遮へいする材料という理由ではありません。
• B. 容量は一般にフラッシュメモリの方が大きいです。
• C. 正しい。電荷以外の物理量で記憶するため放射線に強い傾向があります。