次世代メモリ

MRAMの記憶素子(MTJ)は、ロジックLSIのどの工程でつくり込むのが一般的か。

  1. A配線工程(BEOL)の配線層の間
  2. Bシリコンウエハを製造するとき
  3. Cパッケージに組み立てたあと
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正解：A. 配線工程(BEOL)の配線層の間

MTJは、トランジスタをつくり終えたあとの配線工程で、配線層の間に形成されます。トランジスタの工程に大きな変更を加えずに混載できるため、ロジックLSIに不揮発メモリを組み込みやすいという利点があります。ただし、配線工程の熱処理に耐える必要があります。

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