ReRAM(抵抗変化メモリ)とは
りらむ
電圧をかけて酸化物などの中に導電パスをつくったり切ったりし、抵抗の違いで情報を記憶する不揮発性メモリ。
この用語の分野: 次世代メモリ
解説の中の「ReRAM(抵抗変化メモリ)」
ReRAMは、金属酸化物などの薄膜を電極ではさんだ単純な構造で、電圧を加えると膜中の酸素欠損が集まった導電性フィラメントができたり切れたりして、抵抗が10倍以上変わります。
ReRAM(抵抗変化メモリ)の記憶原理として正しいものはどれか。ReRAMの多くは製造直後は高抵抗で、最初に通常動作より高い電圧を加えて酸素欠損などの導電パスをつくる必要があります。
ReRAMで、最初に比較的高い電圧を加えて導電性フィラメントをつくる初期化工程を何と呼ぶか。ReRAMには、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化チタンなどの金属酸化物がよく使われます。
ReRAMの抵抗変化層として研究・実用化されている材料の例として正しいものはどれか。
「ReRAM(抵抗変化メモリ)」が出てくる問題(9問)
- ReRAM(抵抗変化メモリ)の記憶原理として正しいものはどれか。
- ReRAMで、最初に比較的高い電圧を加えて導電性フィラメントをつくる初期化工程を何と呼ぶか。
- ReRAMの抵抗変化層として研究・実用化されている材料の例として正しいものはどれか。
- ReRAMのセルの抵抗値のばらつきが大きいことによる課題として正しいものはどれか。
- ReRAMの動作方式で「バイポーラ型」と「ユニポーラ型」の違いとして正しいものはどれか。
- マイコンのプログラムを格納するために、ロジック回路と同じチップに混載されてきた不揮発メモリはどれか。
- FeRAM(強誘電体メモリ)が情報の記憶に利用している性質はどれか。
- 一般に、書き換え可能回数が最も少ないメモリはどれか。
- 銀や銅などの金属イオンが固体電解質の中を移動して導電パスをつくったり切ったりすることで抵抗を変えるメモリはどれか。
関連する用語
MRAM マイコン(マイクロコントローラ) FeRAM(強誘電体メモリ) フォーミング CMOS フローティングゲート High-k/メタルゲート PCM(相変化メモリ) インメモリコンピューティング SOT-MRAM