什麼是DIBL(汲極引發位障降低)

為 Drain Induced Barrier Lowering 的縮寫。在短通道 MOSFET 中，汲極電壓越高，源極側的位障越降低，使臨界電壓下降的現象。會增加關閉時的漏電流。

日文名稱: DIBL

「DIBL(汲極引發位障降低)」出現在1領域的2道練習題中（先進電晶體（FinFET與GAA）等）。

這個名詞所屬的領域: MOSFET

練習DIBL(汲極引發位障降低)的題目

下列關於 DIBL（汲極引致能障降低，Drain Induced Barrier Lowering）的說明，何者正確？

  1. A閘極絕緣膜隨時間而被破壞的現象
  2. B配線的金屬原子因電流而移動的現象
  3. C汲極電壓越高，源極側的電位能障越降低，臨界電壓下降的現象
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正確答案：C. 汲極電壓越高，源極側的電位能障越降低，臨界電壓下降的現象

閘極長度短時，汲極的電場會延伸到源極附近，使源極與通道之間的電位能障降低。結果是汲極電壓越高，臨界電壓越低，關閉時的漏電流也越大。DIBL 以「汲極電壓每 1 V 的臨界電壓變化量（mV/V）」表示，先進電晶體須將其抑制在數十 mV/V 以下。在放大電路中，它也是使輸出電阻下降的原因。

解析中的「DIBL(汲極引發位障降低)」

出現「DIBL(汲極引發位障降低)」的題目（2題）

  1. 下列關於 DIBL（汲極引致能障降低，Drain Induced Barrier Lowering）的說明，何者正確？
  2. 下列何者屬於 MOSFET 的短通道效應？

出現這個名詞的比較

相關名詞

臨界電壓 短通道效應 空乏層 次臨界擺幅 反轉層 平帶電壓 基板偏壓效應 貫穿(Punch-through) 貫穿電流 通道長度調變

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