MOSFET

ゲートとドレインが重なる部分の強い電界によってバンド間トンネル電流が流れ、オフ時のリーク電流が増える現象はどれか。

  1. ADIBL
  2. BNBTI
  3. CGIDL(ゲート誘起ドレインリーク)
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正解:C. GIDL(ゲート誘起ドレインリーク)

トランジスタがオフでも、ゲートとドレインの間に大きな電圧がかかっていると、ドレインのゲート端付近で電界が強くなり、バンド間トンネル効果によって電流が流れます。これをGIDLといい、DRAMのセルトランジスタなど、リーク電流を極めて小さくしたい素子で問題になります。

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