GIDL(ゲート誘起ドレインリーク)とは
じーあいでぃーえる
ゲートとドレインが重なる部分の強い電界によってバンド間トンネル電流が流れ、オフ時のリーク電流が増える現象。DRAMのデータ保持などで問題になる。
この用語の分野: MOSFET
解説の中の「GIDL(ゲート誘起ドレインリーク)」
これがGIDLで、ゲート電圧を負にするほど増えるのが特徴です。
ゲートとドレインが重なる部分の強い電界によってバンド間トンネル電流が流れ、オフ時のリーク電流が増える現象はどれか。オフ状態のMOSFETにも、しきい値以下で流れるサブスレッショルドリーク、ゲート絶縁膜を通るゲートリーク、ソース・ドレインの接合を流れる接合リーク(GIDLを含む)が流れます。
MOSFETがオフの状態で流れるリーク電流の主な成分の組み合わせとして正しいものはどれか。キャパシタの電荷は、主にオフ状態のセルトランジスタのサブスレッショルドリークと、ストレージノードの接合を流れるリーク(GIDLや欠陥を介する生成電流を含む)で失われます。
DRAMのセルのデータ保持時間を決める主なリークの経路として正しいものはどれか。
「GIDL(ゲート誘起ドレインリーク)」が出てくる問題(3問)
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