4H-SiC란?
よんえっちえすあいしー
SiCの結晶多形の一つで、パワーデバイスに主に使われるもの。バンドギャップが約3.3 eVと大きく、電子の移動度も比較的高い。
일본어 명칭: 4H-SiC
분야: 에피택셜 성장
관련 용어
格子不整合 貫通転位 臨界膜厚 選択エピタキシャル成長 積層欠陥 超格子 横方向エピタキシャル成長(ELO) HVPE(ハイドライド気相成長) MBE(分子線エピタキシー) MOCVD(有機金属気相成長)
よんえっちえすあいしー
SiCの結晶多形の一つで、パワーデバイスに主に使われるもの。バンドギャップが約3.3 eVと大きく、電子の移動度も比較的高い。
일본어 명칭: 4H-SiC
분야: 에피택셜 성장
格子不整合 貫通転位 臨界膜厚 選択エピタキシャル成長 積層欠陥 超格子 横方向エピタキシャル成長(ELO) HVPE(ハイドライド気相成長) MBE(分子線エピタキシー) MOCVD(有機金属気相成長)