Croissance épitaxiale
Pourquoi la couche épitaxiale est-elle importante dans la fabrication des composants de puissance SiC ?
- APour former avec précision la couche de dérive qui assure la tenue en tension, avec un faible dopage et l'épaisseur requise
- BPour rendre la plaquette transparente
- CPour abaisser la résistance des interconnexions
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Réponse : A. Pour former avec précision la couche de dérive qui assure la tenue en tension, avec un faible dopage et l'épaisseur requise
La diffusion thermique des dopants étant quasi inexistante dans le SiC, les principales couches des dispositifs sont formées par croissance épitaxiale et implantation ionique. Pour la classe 1200 V, la couche de dérive doit être contrôlée avec précision à environ 10 µm et 10¹⁶ cm⁻³, ce qui détermine directement la tenue en tension et la résistance à l'état passant. Les dislocations du plan basal et les défauts de surface de la couche épitaxiale provoquant des défauts tueurs et la dégradation bipolaire, leur réduction est la clé du rendement et de la fiabilité.