Qu'est-ce que HBT (transistor bipolaire à hétérojonction) ?

Réponse : B. Grâce à l'hétérojonction formée par une base en SiGe, il fonctionne facilement jusqu'à de hautes fréquences

Le HBT SiGe est un transistor bipolaire à hétérojonction dont la base est en SiGe, de bande interdite plus étroite. L'écart de bande interdite entre émetteur et base limitant l'injection inverse de trous, la base peut être fortement dopée et mince sans perte d'efficacité d'injection ; un gradient de concentration en Ge peut en outre créer dans la base un champ qui accélère les électrons. Sa fT atteint plusieurs centaines de GHz et, fabriqué avec des procédés silicium, il est utilisé dans les circuits RF des smartphones, les communications optiques et les radars automobiles.

Réponse : B. Circuits rapides et haute fréquence pour communications optiques et sans fil

Les HBT en semi-conducteurs composés utilisent un émetteur à grand gap qui bloque l'injection inverse des trous, ce qui permet une base fine et fortement dopée ; avec la mobilité électronique élevée, ils sont très rapides. Les HBT GaAs (InGaP/GaAs), alimentés par une seule tension et à haut rendement, dominent les amplificateurs de puissance d'émission des smartphones, et les HBT InP, avec une fT de plusieurs centaines de GHz, servent aux circuits électroniques des communications optiques au-delà de 100 Gb/s et à la recherche dans la bande térahertz.