Français
Menu

Implantation ionique

Quel est le principal avantage de l'implantation ionique par rapport à la diffusion thermique ?

  1. AElle se fait à basse température et permet de contrôler précisément la dose et la profondeur
  2. BElle permet des traitements longs à haute température
  3. CElle n'endommage pas du tout le cristal
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Elle se fait à basse température et permet de contrôler précisément la dose et la profondeur

L'implantation ionique se fait près de la température ambiante, ce qui permet d'utiliser une résine photosensible comme masque, et la quantité implantée est contrôlée avec une précision d'environ ±1 % par intégration du courant de faisceau. La profondeur est réglée indépendamment par l'énergie, et une large gamme de doses, de 10¹¹ à 10¹⁶ cm⁻², est accessible. En diffusion thermique, la concentration de surface et la profondeur sont liées, et la haute température imposait un masque en oxyde. En revanche, l'implantation endommage le cristal et nécessite un recuit.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Implantation ionique

  1. Quel est l'objectif de l'implantation de pré-amorphisation (PAI) ?
  2. Que utilise-t-on pour limiter le chargement électrostatique (charge-up) du wafer pendant l'implantation ionique ?
  3. On implante des ions monochargés sur un wafer de 100 cm² avec une dose de 1×10¹⁵ ions/cm². Avec un courant de faisceau de 1 mA, quelle est approximativement la durée d'implantation nécessaire ? (charge élémentaire 1,6×10⁻¹⁹ C)
  4. Dans la formation des caissons CMOS, comment appelle-t-on un caisson dont la concentration d'impuretés est plus élevée en profondeur qu'en surface, obtenu par implantation ionique à haute énergie ?
  5. Quel est le principal objectif de l'implantation halo (poche), qui implante en oblique, aux extrémités de la source et du drain, des impuretés de même type que le canal ?

Comparatifs sur ce thème