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Implantation ionique

Dans la formation des caissons CMOS, comment appelle-t-on un caisson dont la concentration d'impuretés est plus élevée en profondeur qu'en surface, obtenu par implantation ionique à haute énergie ?

  1. ACaisson rétrograde
  2. BLDD
  3. CSiliciure
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Réponse : A. Caisson rétrograde

Un caisson rétrograde présente un pic de concentration en profondeur, obtenu par implantation à haute énergie de quelques centaines de keV à l'ordre du MeV. La concentration de surface reste modérée pour s'adapter aux caractéristiques des transistors, tandis que la forte concentration en profondeur limite le perçage (punch-through) et le latch-up (déclenchement du thyristor parasite). Il évite aussi la diffusion thermique de plusieurs heures au-delà de 1000 °C des caissons diffusés classiques, ce qui réduit fortement le budget thermique et la durée du procédé.

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