Implantation ionique
Quel est le principe correct de l'implantation ionique ?
- AIoniser les impuretés, les accélérer par un champ électrique et les projeter dans le wafer
- BPlonger le wafer dans un liquide contenant les impuretés
- CChauffer le wafer dans un gaz contenant les impuretés pour qu'elles pénètrent par la surface
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Réponse : A. Ioniser les impuretés, les accélérer par un champ électrique et les projeter dans le wafer
En implantation ionique, des impuretés comme le bore ou le phosphore sont ionisées, sélectionnées par analyse de masse, puis accélérées par un champ électrique et projetées à grande vitesse dans le wafer. L'énergie d'accélération contrôle précisément la profondeur, le nombre d'ions implantés (dose) la concentration, et le masque l'emplacement. Introduite en production dans les années 1970 à la place de la diffusion thermique, elle compte aujourd'hui plusieurs dizaines d'étapes d'implantation pour fabriquer une seule puce LSI.