Quel avantage présente l'ajout de dopants pendant la croissance épitaxiale par rapport à la diffusion thermique ?

Réponse : B. Il permet plus facilement des variations de concentration abruptes en profondeur

En diffusion thermique, les dopants se propagent de la surface vers l'intérieur, si bien que seuls des profils maximaux en surface et décroissant progressivement sont réalisables. En croissance épitaxiale, la commutation du débit de gaz dopant permet de varier la concentration couche par couche, et de créer des transitions abruptes en quelques nm, des couches fortement dopées enterrées, voire des profils inversés faiblement dopés en surface et fortement en profondeur. C'est indispensable pour la base des HBT et les structures multicouches des composants de puissance.