Rapport entre les concentrations d'impuretés dans le cristal et dans le bain lors de la solidification. Il est inférieur à 1 pour la plupart des impuretés, qui s'accumulent dans le bain : la concentration augmente vers la fin du cristal CZ.
Nom japonais: 偏析係数
« Coefficient de ségrégation » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Plaquettes de silicium, Oxydation et diffusion.
Domaine: Plaquettes de silicium
Réponse : C. Bore (B)
Pour obtenir du type p, on ajoute au bain du bore, élément du groupe III. Le bore a un coefficient de ségrégation d'environ 0.8, proche de 1, de sorte que sa concentration est relativement uniforme entre le haut et le bas du lingot, ce qui en fait un dopant facile à utiliser. Pour le type n, on utilise des éléments du groupe V comme le phosphore, l'arsenic ou l'antimoine. La résistivité du cristal est déterminée par la quantité ajoutée ; pour les LSI, on utilise surtout du type p d'environ 1 à 20 Ω·cm.
Réponse : B. La plupart des dopants ont un coefficient de ségrégation inférieur à 1, et les dopants peu incorporés dans le cristal se concentrent dans le bain
Lors de la solidification, la plupart des impuretés sont peu incorporées dans le cristal (coefficient de ségrégation k < 1) et restent dans le bain. Par exemple, k ≈ 0.35 pour le phosphore, environ 0.3 pour l'arsenic et environ 0.023 pour l'antimoine. La concentration dans le bain augmentant au fil du tirage, la seconde moitié du cristal présente une concentration plus élevée et une résistivité plus faible. Ainsi, seule la partie d'un lingot dont la résistivité est dans la spécification devient produit, et le bore, peu ségrégé, est un dopant facile à uniformiser.
Le bore a un coefficient de ségrégation d'environ 0.8, proche de 1, de sorte que sa concentration est relativement uniforme entre le haut et le bas du lingot, ce qui en fait un dopant facile à utiliser.
Quel dopant est typiquement ajouté au bain fondu pour obten…Lors de la solidification, la plupart des impuretés sont peu incorporées dans le cristal (coefficient de ségrégation k < 1) et restent dans le bain.
Lors du tirage CZ d'un cristal dopé, la concentration de do…À la frontière entre silicium et SiO2, le rapport des concentrations des deux côtés (coefficient de ségrégation m = dans le silicium / dans SiO2) est fixé pour chaque dopant.
Lors de l’oxydation thermique d’un silicium contenant du bo…Lingot Méthode CZ (Czochralski) Oxydation thermique Tension de seuil Donneurs thermiques DZ (zone dénudée) Encoche de plaquette (notch) Getter (gettering) Glissement (slip) Méthode FZ (zone flottante)