Minuscule defecten die ontstaan wanneer zuurstof in CZ-silicium door warmtebehandeling in de wafer neerslaat. Ook BMD (bulk micro defects) genoemd; worden gebruikt als gettering-plaatsen die metaalverontreinigingen vangen.
Japanse benaming: 酸素析出物(BMD)
“Zuurstofprecipitaten (BMD)” komt voor in 5 oefenvragen uit 3 onderwerpen, bijv. Siliciumwafers, Epitaxiale groei, Oxidatie en diffusie.
Vakgebied: Siliciumwafers
Antwoord: A. Gebruik als gettersite waar metaalonzuiverheden worden ingevangen
De zuurstof in een CZ-wafer vormt door warmtebehandeling precipitaten in de wafer (BMD: Bulk Micro Defect). De precipitaten en de omringende spanningen en dislocaties vangen metaalonzuiverheden in, zodat ze worden gebruikt voor intrinsieke gettering, waarbij metaalverontreiniging uit het componentgebied aan het oppervlak wordt weggehouden. De BMD-dichtheid wordt geregeld op circa 10⁸ tot 10¹⁰ cm⁻³. Nabij het oppervlak veroorzaken ze echter lekstroom, zodat aan het oppervlak een defectvrije laag wordt gelaten.
De zuurstof in een CZ-wafer vormt door warmtebehandeling precipitaten in de wafer (BMD: Bulk Micro Defect).
Wat is het juiste doel van het benutten van de kleine defec…Er zijn intrinsieke gettering met zuurstofprecipitaten in de wafer en extrinsieke gettering, waarbij aan de achterzijde bewerkingsspanning of een polykristallijne laag wordt aangebracht.
Welke beschrijving van gettering is juist?Bij warmtebehandeling bij hoge temperatuur van 1100 °C of hoger diffundeert zuurstof nabij het oppervlak naar buiten, waardoor aan het oppervlak een defectvrije zone (DZ: denuded zone) zonder zuurstofprecipitaten van enkele tientallen µm ontstaat.
Een wafer wordt thermisch behandeld, zodat zuurstof nabij h…De epilaag heeft minder defecten, zoals zuurstofprecipitaten en COP's, dan het oppervlak van een CZ-wafer, waardoor de kwaliteit van het oppervlak waarop de componenten worden gemaakt beter is.
Welk voordeel van een wafer waarop een p-type epitaxiale la…Dit verzamelt zich rond kernen zoals metaalverontreiniging en zuurstofprecipitaten en groeit uit tot stapelfouten op {111}-vlakken: oxidatiegeïnduceerde stapelfouten (OSF), die lekstroom veroorzaken wanneer ze een overgang kruisen.
Welke defecten ontstaan bij thermische oxidatie doordat een…Gettering DZ (denuded zone) Gloeien (annealing) Latch-up CMOS Thermische oxidatie Czochralski-methode (CZ-methode) Floating-zonemethode (FZ-methode) Ingot Kristaloriëntatie