Pour l’oxydation thermique du silicium, quelle comparaison entre oxydation sèche (O2) et oxydation humide (H2O) est correcte ?

Réponse : B. L’oxydation humide a une vitesse de croissance d’oxyde plus élevée

Dans l’oxydation humide à la vapeur d’eau, la solubilité de l’oxydant H2O dans SiO2 est plusieurs centaines de fois supérieure à celle de O2, si bien que la croissance est de plusieurs fois à environ 10 fois plus rapide qu’en oxydation sèche. Par exemple, à 1000 ℃ pendant 1 heure, on obtient environ 70 nm en sec et environ 400 nm en humide. Elle convient à l’isolation des composants et aux masques, qui exigent des films épais. L’oxydation sèche, plus lente, donne un film dense de bonne qualité avec peu d’états d’interface et une épaisseur facile à contrôler ; elle a été utilisée pour les oxydes de grille minces.