Quelle valeur est la plus proche de la densité de porteurs intrinsèques du silicium à température ambiante ?

Réponse : B. Environ 1×10¹⁰ cm⁻³

La densité de porteurs intrinsèques du silicium vaut environ 1×10¹⁰ cm⁻³ à température ambiante (1,0 à 1,5×10¹⁰ selon les sources). Comparée à la densité atomique d'environ 5×10²² cm⁻³, cela représente un porteur libre pour environ 10¹² atomes. Elle vaut environ 2×10¹³ pour le germanium et environ 2×10⁶ cm⁻³ pour le GaAs : plus la bande interdite est grande, plus elle est faible, de plusieurs ordres de grandeur. C'est cette faible valeur de ni qui permet de contrôler librement la conductivité par un dopage minime.