Qu'est-ce que Mandrin électrostatique (e-chuck) ?

Dispositif qui maintient la plaquette sur son support par force électrostatique. Utilisable sous vide, il permet aussi de faire circuler un gaz en face arrière pour contrôler la température. Très répandu dans les équipements de dépôt et de gravure.

Nom japonais: 静電チャック

« Mandrin électrostatique (e-chuck) » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 3 thèmes, dont Implantation ionique, Dépôt (CVD et PVD), Matériaux de procédé (gaz et produits chimiques).

Domaine: Dépôt (CVD et PVD)

S'entraîner : questions sur Mandrin électrostatique (e-chuck)

Quelle est la principale raison du refroidissement du wafer pendant une implantation ionique à fort courant ?

  1. APour augmenter la profondeur d'implantation
  2. BPour éviter que l'énergie du faisceau n'échauffe le wafer, altérant la résine du masque ou modifiant les conditions d'implantation
  3. CPour modifier la masse des ions
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Réponse : B. Pour éviter que l'énergie du faisceau n'échauffe le wafer, altérant la résine du masque ou modifiant les conditions d'implantation

En implantation à fort courant, par exemple quelques dizaines de keV × quelques dizaines de mA, une énergie de faisceau de plusieurs centaines de W à près de 1 kW est déposée dans le wafer, dont la température dépasserait 100 °C sans refroidissement. Si la résine se déforme ou s'altère, les dimensions du masque changent ou son retrait devient difficile. De plus, la température modifie le degré de guérison des dommages (facilité d'amorphisation) ; le wafer est donc refroidi sur un mandrin électrostatique pour contrôler sa température. Récemment, on implante aussi volontairement à basse température pour contrôler la nature des dommages.

Quel mécanisme maintient la plaquette sur son support par force électrostatique dans les équipements de dépôt et de gravure ?

  1. APince à vide
  2. BMandrin électrostatique (ESC)
  3. CFOUP
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Réponse : B. Mandrin électrostatique (ESC)

Le mandrin électrostatique applique une tension de quelques centaines de V à quelques kV à des électrodes noyées dans un support céramique et maintient la plaquette par la force électrostatique qui s'exerce entre eux. Utilisable sous vide et maintenant uniformément toute la plaquette, il permet de faire circuler de l'hélium entre la plaquette et le support pour transmettre la chaleur et contrôler précisément la température de la plaquette. Cette pièce conditionne directement l'uniformité de gravure et de dépôt, et le traitement des charges résiduelles lors du décollement (dechuck) est également important.

« Mandrin électrostatique (e-chuck) » dans les explications

Questions mentionnant « Mandrin électrostatique (e-chuck) » (3)

  1. Quelle est la principale raison du refroidissement du wafer pendant une implantation ionique à fort courant ?
  2. Quel mécanisme maintient la plaquette sur son support par force électrostatique dans les équipements de dépôt et de gravure ?
  3. Quelle description de la cible utilisée en pulvérisation cathodique est correcte ?

Termes associés

Rugosité de bord de ligne (LER) Implantation ionique Pulvérisation cathodique (sputtering) Plasma ALD Couverture de marche (step coverage) CVD Dépôt électrolytique (électroplacage) Dépôt par centrifugation (spin coating) Dépôt sélectif par zone (area-selective deposition)

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