Dans un FinFET sur substrat massif, quel est l'objectif de la couche fortement dopée placée au pied de l'ailette (zone difficile à contrôler par la grille) ?

Réponse : A. Limiter le courant de fuite par perçage (punch-through) passant sous l'ailette

Dans un FinFET massif, la partie basse de l'ailette n'étant pas entourée par la grille, le courant fuit facilement entre source et drain. Une couche fortement dopée de type opposé au canal (stoppeur de perçage) placée près du pied de l'ailette limite la fuite par ce chemin. Comme on ne veut pas doper le canal, contrôler une implantation abrupte limitée à cette faible profondeur est délicat. Un substrat SOI permettrait une isolation par l'oxyde, mais les plaquettes sont coûteuses.