Implantation ionique
Quelle est la principale raison du refroidissement du wafer pendant une implantation ionique à fort courant ?
- APour augmenter la profondeur d'implantation
- BPour éviter que l'énergie du faisceau n'échauffe le wafer, altérant la résine du masque ou modifiant les conditions d'implantation
- CPour modifier la masse des ions
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Réponse : B. Pour éviter que l'énergie du faisceau n'échauffe le wafer, altérant la résine du masque ou modifiant les conditions d'implantation
En implantation à fort courant, par exemple quelques dizaines de keV × quelques dizaines de mA, une énergie de faisceau de plusieurs centaines de W à près de 1 kW est déposée dans le wafer, dont la température dépasserait 100 °C sans refroidissement. Si la résine se déforme ou s'altère, les dimensions du masque changent ou son retrait devient difficile. De plus, la température modifie le degré de guérison des dommages (facilité d'amorphisation) ; le wafer est donc refroidi sur un mandrin électrostatique pour contrôler sa température. Récemment, on implante aussi volontairement à basse température pour contrôler la nature des dommages.