Bloc monocristallin cylindrique obtenu par exemple par la méthode CZ, avant découpe en plaquettes. On coupe les extrémités et rectifie le pourtour pour uniformiser le diamètre, puis on le tranche finement.
Nom japonais: インゴット
« Lingot » apparaît dans 9 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Plaquettes de silicium.
Domaine: Plaquettes de silicium
Réponse : A. Sciage → rodage (rectification) → gravure → polissage miroir
Après rectification de la périphérie du lingot pour calibrer le diamètre et usinage de l'encoche, le lingot est découpé en tranches d'un peu moins de 1 mm à la scie multifil (sciage). Après chanfreinage, l'épaisseur et la planéité sont ajustées par rodage ou rectification, la couche endommagée de quelques dizaines de µm due à l'usinage est éliminée par gravure, et un polissage double face suivi d'un polissage de finition donne un état miroir proche du niveau atomique. Les wafers sont ensuite nettoyés, contrôlés et expédiés dans des conteneurs propres (FOUP).
Réponse : B. Scie multifil
La scie multifil tend en parallèle plusieurs centaines de fils fins d'environ 0.1 mm de diamètre défilant à grande vitesse, et découpe le lingot en plusieurs centaines de wafers à la fois au moyen d'une suspension abrasive ou de fils diamantés. La saignée, de l'ordre de 0.1 mm, est faible, ce qui limite la perte de matière. La découpe d'un lingot prend plusieurs heures. La lame de découpe sert à séparer en puces un wafer terminé.
Après rectification de la périphérie du lingot pour calibrer le diamètre et usinage de l'encoche, le lingot est découpé en tranches d'un peu moins de 1 mm à la scie multifil (sciage).
Quel est l'ordre le plus approprié des étapes de fabricatio…La scie multifil tend en parallèle plusieurs centaines de fils fins d'environ 0.1 mm de diamètre défilant à grande vitesse, et découpe le lingot en plusieurs centaines de wafers à la fois au moyen d'une suspension abrasive ou de fils diamantés.
Quel équipement est généralement utilisé pour découper un l…Dans la méthode CZ, un germe est plongé dans du silicium fondu à plus d'environ 1420 ℃ dans un creuset en quartz, puis tiré lentement en rotation à une vitesse de quelques cm par heure, pour obtenir un lingot monocristallin d'environ 300 mm de diamètre, 2 m de long et plusieurs centaines de kg.
Quelle est la méthode la plus utilisée pour fabriquer le si…Le bore a un coefficient de ségrégation d'environ 0.8, proche de 1, de sorte que sa concentration est relativement uniforme entre le haut et le bas du lingot, ce qui en fait un dopant facile à utiliser.
Quel dopant est typiquement ajouté au bain fondu pour obten…Ainsi, seule la partie d'un lingot dont la résistivité est dans la spécification devient produit, et le bore, peu ségrégé, est un dopant facile à uniformiser.
Lors du tirage CZ d'un cristal dopé, la concentration de do…Méthode CZ (Czochralski) RIE (gravure ionique réactive) Découpe (dicing) Coefficient de ségrégation FOUP Via CMP Donneurs thermiques DZ (zone dénudée) Encoche de plaquette (notch)